18650 リチウムイオン電池保護基板設計に関する 10個 の考慮事項

多くの人は、バッテリー保護基板の設計で何に注意すべきかを知りませんが、 18650 リチウムイオン電池を設計するときに設計者が注意する必要がある点を見てみましょう。

18650 リチウムイオン電池保護基板の設計上の考慮事項1:

1. 過電流 2 検出電圧: 通常、DO 端子が High レベルから Low レベルに変化すると、VM は 0V から 1ms ～ 4ms の速度で VM-VSS 間電圧まで上昇します。

18650 リチウムイオン電池保護基板の設計上の考慮事項 2:

2. 負荷短絡検出電圧: 通常の状態では、VM は 0V から 1 μS ～ 50 μS の速度で DO 端子がハイレベルからローレベルに変化するときに VM-VSS 間電圧まで上昇します。

18650 リチウムイオン電池保護基板の設計上の考慮事項 3:

3. 充電器検出電圧：過放電状態では、DO がローレベルからハイレベルに変化すると、VM は 0V から VM-VSS 間の電圧まで徐々に低下します。

18650 リチウムイオン電池保護基板の設計上の考慮事項 4:

4. 通常動作時の消費電流： 通常の状態では、VDD 端子に流れる電流 (IDD) が通常動作時の消費電流となります。

18650 リチウムイオン電池保護基板の設計上の考慮事項 5:

5. 過放電消費電流: 放電状態において、VDD 端子に流れる電流 (IDD) が過放電消費電流となります。

18650 リチウムイオン電池保護基板の設計上の考慮事項 6:

6. 過充電検出電圧: 通常、CO 端子がハイレベルからローレベルに変化すると、Vdd は VDD-VSS 間の電圧まで徐々に上昇します。

18650 リチウムイオン電池保護基板の設計上の考慮事項 7:

7. 過充電解除電圧: 充電状態では、CO 端子がローレベルからハイレベルに変化すると、Vdd は VDD-VSS 間の電圧まで徐々に低下します。

18650 リチウムイオン電池保護基板の設計上の考慮事項 8:

8. 過放電検出電圧: 通常、DO 端子がハイレベルからローレベルに変化すると、Vdd は VDD-VSS 間の電圧まで徐々に低下します。

18650 リチウムイオン電池保護基板の設計上の考慮事項 9:

9. 過放電解除電圧: 過放電状態では、DO 端子がローレベルからハイレベルに変化すると、Vdd は VDD-VSS 間の電圧まで徐々に上昇します。

18650 リチウムイオン電池保護基板の設計上の考慮事項 10:

10. 過電流 1 検出電圧: 通常の状態では、DO が High レベルから Low レベルに変化すると、VM は VM と VSS の間の電圧まで徐々に上昇します。